SVF7N65T/F/FG/K/SN沟道增强型高压功率 MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器, 高压H桥PWM 马达驱动。
特点
*7A,650V,RDs(on)(型)=1.12@VGs=10V
*低栅较电荷量
*低反向传输电容
*开关速度快提升了dv/dt 能力
另有:SVF10N65F SVF12N65F
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